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Das Dokument ist öffentlich zugänglich im Rahmen des deutschen Urheberrechts.Development of reRAM-based devices for logic- and computation-in-memory applications
Jülich : Forschungszentrum Jülich GmbH, Zentralbibliothek, [2017], copyright 2017[Online Ressource]- Das Dokument ist öffentlich zugänglich im Rahmen des deutschen Urheberrechts.
Investigation of switching mechanism in Ta2O5-based ReRAM devices
Jülich : Forschungszentrum Jülich GmbH, Zentralbibliothek, [2017], © 2017[Online Ressource] - Das Dokument ist öffentlich zugänglich im Rahmen des deutschen Urheberrechts.
Investigation of ternary nitride semiconductor alloys by scanning tunneling microscopy
Jülich : Forschungszentrum Jülich GmbH, Zentralbibliothek, [2017], © 2017[Online Ressource] - Das Dokument ist öffentlich zugänglich im Rahmen des deutschen Urheberrechts.
Redox processes and ionic transport in resistive switching binary metal oxides
Jülich : Forschungszentrum Jülich GmbH, Zentralbibliothek, [2017], copyright 2017[Online Ressource] - Das Dokument ist öffentlich zugänglich im Rahmen des deutschen Urheberrechts.
Resistive switching memory devices from atomic layer deposited binary and ternary oxide thin films
Jülich : Forschungszentrum Jülich GmbH, Zentralbibliothek, [2017], © 2017[Online Ressource] - Das Dokument ist öffentlich zugänglich im Rahmen des deutschen Urheberrechts.
TEM/STEM investigations of phase change materials for non-volatile memory applications
Jülich : Forschungszentrum Jülich GmbH, Zentralbibliothek, [2017], © 2017[Online Ressource]