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Titelaufnahme
Titel
Resistive switching memory devices from atomic layer deposited binary and ternary oxide thin films / Nabeel Aslam
Verfasser
Aslam, Nabeel
Körperschaft
RWTH Aachen
Erschienen
Jülich
:
Forschungszentrum Jülich GmbH, Zentralbibliothek
,
2017, © 2017
Umfang
1 Online-Ressource (X, 172 Seiten)
: Illustrationen, Diagramme
Hochschulschrift
RWTH Aachen University, Dissertation, 2017
Anmerkung
Englische und deutsche Zusammenfassung
Serie
Schriften des Forschungszentrums Jülich ; Band/Volume 52
URL
Volltext
ISBN
978-3-95806-274-0
URN
urn:nbn:de:hbz:5:2-144769
Zugänglichkeit
Das Dokument ist öffentlich zugänglich im Rahmen des deutschen Urheberrechts.
Volltexte
Resistive switching memory devices from atomic layer deposited binary and ternary oxide thin films
[26.79 mb]
Links
Nachweis
Universitäts- und Landesbibliothek Bonn
Verfügbarkeit
In meiner Bibliothek
Nutzungshinweis
Creative Commons Namensnennung 4.0 International Lizenz