Titelaufnahme

Titel
Resistive switching memory devices from atomic layer deposited binary and ternary oxide thin films / Nabeel Aslam
VerfasserAslam, Nabeel In der Gemeinsamen Normdatei der DNB nachschlagen
KörperschaftRWTH Aachen In der Gemeinsamen Normdatei der DNB nachschlagen
ErschienenJülich : Forschungszentrum Jülich GmbH, Zentralbibliothek, 2017, © 2017
Umfang1 Online-Ressource (X, 172 Seiten) : Illustrationen, Diagramme
HochschulschriftRWTH Aachen University, Dissertation, 2017
Anmerkung
Englische und deutsche Zusammenfassung
SerieSchriften des Forschungszentrums Jülich ; Band/Volume 52
ISBN978-3-95806-274-0
URNurn:nbn:de:hbz:5:2-144769 Persistent Identifier (URN)
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Volltexte
Resistive switching memory devices from atomic layer deposited binary and ternary oxide thin films [26.79 mb]
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